TPS4H160-Q1 器件是一款集成四个 160mΩ N 型金属氧化物半导体 (NMOS) 功率场效应晶体管 (FET) 且受到全方位保护的四通道智能高侧开关。

该器件具有丰富的诊断功能以及高精度电流感测功能，能够对负载实施智能控制。

该器件可从外部调节电流限值以限制浪涌或过载电流，从而提升整个系统的可靠性。

TPS4H160-Q1 器件是一款集成四个 160mΩ N 型金属氧化物半导体 (NMOS) 功率场效应晶体管 (FET) 且受到全方位保护的四通道智能高侧开关。

该器件具有丰富的诊断功能以及高精度电流感测功能，能够对负载实施智能控制。

该器件可从外部调节电流限值以限制浪涌或过载电流，从而提升整个系统的可靠性。

特性

• 符合汽车类应用 要求

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：

• 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围

• 器件 HBM ESD 分类等级 H3A

• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B

• 提供功能安全

• 提供文档以帮助创建功能安全系统设计

• 具有丰富诊断功能的四通道 160mΩ 智能高侧开关

• 版本 A：开漏数字输出

• 版本 B：电流感应模拟输出

• 宽工作电压范围：3.4V 至 40V

• 超低待机电流： 25mA 的负载条件下为 ±15%

• 可使用外部电阻调节电流限值，> 500mA 的负载条件下为 ±15%

• 保护

• 通过（内部或外部）电流限制实现接地短路保护

• 具有锁闭选项的热关断以及热调节

• 感性负载负电压钳位，已优化转换率

• 失地保护和失电保护

• 诊断

• 过流和接地短路检测

• 负载开路和电池短路检测

• 用于实现快速中断的全局故障报告

• 28 引脚耐热增强型 PWP 封装