SY6355是一种汇源双数据速率（DDR）调节器，设计用于低输入电压、低成本、低噪声的系统，其中需要考虑空间。它保持快速的晶体管响应，要求最小输出电容仅为20μF，DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT总线终端的所有功率要求。此外，它还提供了一个开路漏极PGOOD信号以监控输出调节，以及一个EN信号，该信号可用于在S3（暂停到RAM）期间对VTT进行放电，以用于DDR应用。

SY6355可用于DFN3×3-10 thermalpad封装，其额定值为绿色和无铅。规定温度范围为-40°C至85°C。

特征

输入电压：支持2.5V轨和3.3V轨

VLDOIN电压范围：1.1V至3.5V

汇点和源端调节器包括下降补偿。

存储器要求最小输出电容为20μF（通常为3×10μF MLCC）。

PGOOD监控输出调节

启用功能选项

REFIN输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪

遥感（VOSNS）

±10mA缓冲参考（REFOUT）

内置软启动、UVLO和OCL

过温度保护

支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT应用

紧凑型封装：DFN3×3-10，带ThermalPad

应用

DDR存储器终端调节器，

DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4

笔记本、台式机和服务器

基站