LN8323是一款内置高边和低边N沟道MOSFET的驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8323内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断高边和低边N沟道MOSFET。LN8323内建死区自适应功能，可以适应更多应用条件，同时简化设计的繁琐。

产品特性

电源电压工作范围为4.5V~13.2V

内置自举二极管

内置30V N沟道MOSFET

兼容3.3V和5.5V PWM输入

UVLO时EN端输出低电平

内建死区自适应功能防止MOSFET交叉导通

EN端可同时关断上下两个MOSFET

VCC欠压锁死功能

绿色环保无卤，满足ROHS标准

应用领域

半桥/全桥转换器

同步降压、升降压拓扑

电子烟、无线充MOSFET驱动器