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CMS6163N 栅极驱动芯片|Cmsemicon中微代理商

来源：昊海鑫 时间：2022-09-02 23:26
CMS6163N是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6163N通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置200ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间与内置死区之和。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
产品特性

>  悬浮偏移电压+180V

>  电源电压工作范围：8~20V

>  内置VCC、VBS欠压保护UVLO

>  内置直通防止功能

>  内置200ns死区时间

>  高低端通道匹配

>  输出与输入同相

>  输入引脚内置下拉电阻

>  3.3V、5V输入逻辑兼容

>  高峰值电流输出能力

>  峰值输出电流1.2A@12V，3.3nF负载上升时间40ns

>  峰值吸入电流1.5A@12V，3.3nF负载下降时间35ns

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