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ESB1245NG BMS 专用芯片|东软载波代理商

来源:昊海鑫 时间:2022-08-31 23:04

ESB1245NG是一款高精度、高集成度的电池管理系统(BMS)模拟前端(AFE)芯片,该芯片可以协同外部MCU为各电池单元提供充放电均衡管理。该芯片可以支持高达3~7节锂电池串联组成的锂电池组的应用。
ESB1245NG内部集成了5V LDOLDO为外部MCU提供电源)、MOSFET驱动、电池电压检测、电池单元均衡、I2C通信与接口、电流检测放大器、温度检测、过流保护、CH_FET/DS_FET驱动电路的短路电流保护、比较器(用于放电通路的短路检测)。
外部MCU可以通过I2C总线读取任意电池单元的电压(0.5V-5.0V)。通过对I2C接口的控制,MCUADC可以测量ESB1245NG芯片内部的不同电压(电池电压、电池充放电电流和芯片内部温度)。各电池单元都可以被MCU控制,并通过MCU中的ADC对其进行测量。从通道选择到测量完成,整个过程的读取时间大约为150us。建议I2C通信时钟配置为400kHzESB1245NG芯片内部的均衡驱动电路可以提供30mA的均衡电流,控制均衡驱动电路的寄存器都可以通过I2C进行设置。
ESB1245NG采用QFN-24(无铅)封装形式。

特性
通信接口

采用I2C接口实现ESB1245NGMCU之间的
通信

通过内部寄存器实现过流设置与Cell电压选择

通过内部寄存器实现过流保护延时设置

电池检测

测量电池组中各节电池的电压

充电通路

支持3~7 锂电池或磷酸铁锂电池串联

每节电池电压范围为2V~4.5V

电池单元均衡电流的典型值为30mA

可通过MCU控制CH_FET的过流保护值

CH_FET 推挽输出
放电通路
支持10V~16V PWMDC输出,控制MOSFET

MOSFET提供大于50mA的驱动电流

可通过MCU控制DS_FET的过流保护值
内部集成5V LDO
内部集成5V LDO(输出电流为30mA,为外部MCU提供电源

内部集成15V LDO

内部集成15V LDO,给MOSFET驱动电路供电

工作模式: 正常工作模式、开关模式
输出电压VOUT缓冲器
内部集成具有5mA驱动能力的缓冲器
其它功能模块
LDO过流保护功能

CH_FET / DS_FET驱动的短路电流保护功能

集成充放电电流测量、温度测量功能

应用领域

便携设备中的多节电池系统

便携式电动工具

电动自行车

家用电器

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圳市昊海鑫科技有限公司
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