特性
 工作条件
 工作电压范围：2.2V ~ 5.5V
 工作温度范围：-40 ~ 85°C
 工艺、封装
 低功耗、高速 FLASH CMOS 工艺
 采用 LQFP32、QFN32 或 LQFP44 封装
 内核
 采用 HR7P-V2 RISC CPU 内核，79 条精简指令集
 采用 2T 架构，每个机器周期包括两个系统时钟周期
 系统时钟最高支持 20MHz，最小指令周期 100ns
 支持中断优先级和中断向量表
 12 级程序堆栈（PC 硬件堆栈）
 支持 8 x 8 硬件乘法器
 存储资源
 16K Word FLASH 程序存储器，支持 IAP 操作（IAP 操作时 CPU 暂停）
 512 Byte EEPROM 数据存储器，支持 IAP 操作（操作单位为字节，支持字节读/写，
操作时 CPU 继续运行）
 1.5K Byte SRAM 数据存储器
 编程和调试
 支持 5 线制编程接口（ISP）
 支持 5 线制在线调试接口（ICD）
 支持两组编程/调试接口可选择
 支持编程代码加密保护
 I/O 端口
 最多支持 40 个 I/O 端口
 支持 4 个外部端口中断（PINT0~PINT3）

应用领域
本芯片可用于家电、工业控制等领域。

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