该M52D256328A为268,435,456位同步高数据速率动态RAM，由32位组织为4x2,097，152字。

同步设计允许使用系统时钟I/O事务的精确周期控制在每个时钟周期都是可能的。

工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高带宽、高性能内存系统应用。

特征

1.8V电源

与多路复用地址兼容的LVCMOS

四家银行运营

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（3）

-突发长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交织）

带地址的EMRS循环

所有输入均在输出的正边缘取样

系统时钟

特殊功能支持

-部分数组自刷新

-自补偿温度（TCSR）

-DS（驱动力）

用于掩蔽的DQM

自动和自刷新

64ms刷新周期（4K周期）

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