东芯半导体DSG2586AA-L500E/DSG2586AA-F500E PSRAM芯片深度解析

产品核心定位

东芯半导体推出的DSG2586AA-L500E和DSG2586AA-F500E是高性能PSRAM(伪静态随机存储器)产品，填补了传统SRAM和DRAM之间的市场空白。这两款芯片凭借独特的伪静态技术特性，为物联网终端、穿戴设备、智能家居等低功耗应用场景提供了理想的存储器解决方案。

关键参数对比

特性	DSG2586AA-L500E	DSG2586AA-F500E
容量架构	64Mb(4M×16)	64Mb(4M×16)
接口类型	并行接口	串行SPI接口
工作电压	1.8V±0.1V	1.8V±0.1V
访问速度	70ns	104MHz SPI时钟
待机功耗	<15μA	<10μA
工作温度	-40℃~85℃	-40℃~85℃
封装形式	48-ball TFBA	8-pin SOP

技术创新亮点

独特的伪静态技术：

采用1T-SRAM存储单元结构

无需外部刷新电路(区别于传统DRAM)

保持SRAM的易用性特点

双接口设计策略：

DSG2586AA-L500E提供高速并行接口

DSG2586AA-F500E采用节省引脚的SPI接口

满足不同应用场景的接口需求

先进的功耗管理：

深度睡眠模式下电流<5μA

动态频率调节技术

部分阵列刷新功能

可靠性增强设计：

内置ECC纠错机制

抗电磁干扰强化设计

静电防护达到HBM 4000V

典型应用场景

东芯半导体DSG2586AA-L500E/DSG2586AA-F500E PSRAM特别适用于：

物联网边缘设备：传感器数据缓存

智能穿戴产品：运动健康数据暂存

消费电子：智能音箱语音缓冲

工业HMI：显示帧缓存

医疗电子：便携设备数据采集

核心竞争优势

成本效益比突出：

比传统SRAM降低约40%成本

比标准DRAM节省15%系统BOM成本

无需外部刷新电路

设计便利性：

完全兼容SRAM接口时序

提供完整参考设计套件

支持热插拔操作

性能平衡优势：

随机访问延迟<70ns

持续传输带宽达416MB/s(并行型号)

零总线周转时间

质量保障体系：

通过AEC-Q100 Grade 2认证

100%老化测试

10年长期供货承诺

设计应用指南

PCB布局建议：

并行接口版本建议走线等长控制±5mm

SPI版本注意SCK信号屏蔽处理

电源去耦电容推荐0.1μF+1μF组合

电源管理设计：

建议使用LDO供电

电压波动应控制在±3%以内

上电时序需符合规格书要求

信号完整性优化：

并行接口建议做终端匹配

高速SPI模式建议降低走线容抗

避免信号线跨分割平面

市场价值分析

东芯半导体通过DSG2586AA-L500E和DSG2586AA-F500E两款PSRAM产品，实现了在特殊存储器市场的战略布局：

替代传统SRAM：在需要较大缓存但成本敏感的场景提供高性价比方案

补充DRAM不足：解决低功耗系统无法承受DRAM刷新功耗的痛点

国产化替代：打破国际厂商在PSRAM领域的技术垄断

应用创新：为新兴AIoT设备提供理想的存储器选择

这两款产品体现了东芯半导体在存储器细分市场的精准定位能力，通过差异化的DSG2586AA-L500E(并行接口)和DSG2586AA-F500E(串行接口)组合，满足不同层次客户的多样化需求。