1. 产品概述

东芯半导体推出的DS35M1GB-IB和DS35M1GD-IB是两款高性能SPI NAND Flash存储器，专为需要大容量、高可靠性数据存储的应用而设计。这两款产品采用先进的存储技术和SPI接口，适用于消费电子、工业控制、物联网设备等领域。

主要特性

容量：1Gb（128MB）

接口：标准SPI（1-bit/2-bit/4-bit可选）

工作电压：2.7V–3.6V（DS35M1GB-IB）、1.7V–1.95V（DS35M1GD-IB）

封装：8-pin SOP（150mil）

ECC：内置4-bit/512B硬件ECC，提高数据可靠性

耐久性：10万次擦写周期

数据保持：10年（@85℃）

2. 关键性能参数

（1）DS35M1GB-IB（3V版本）

电压范围：2.7V–3.6V

读取速度：

标准SPI：50MHz（最大）

Dual/Quad SPI：104MHz（最大）

编程速度：10MB/s（Quad SPI模式）

待机电流：<10μA

（2）DS35M1GD-IB（1.8V版本）

电压范围：1.7V–1.95V

读取速度：

标准SPI：50MHz（最大）

Dual/Quad SPI：80MHz（最大）

编程速度：8MB/s（Quad SPI模式）

待机电流：<5μA

3. 东芯半导体技术创新

东芯半导体在DS35M1GB-IB/DS35M1GD-IB中采用了多项创新技术：

高性能SPI接口：

支持1/2/4-bit SPI模式，兼容主流MCU和SoC

最高104MHz时钟频率（3V版本），提升数据传输效率

硬件ECC引擎：

内置4-bit ECC，确保数据完整性

减少主控芯片负担，降低系统复杂度

低功耗优化：

深度休眠模式电流<1μA

动态电压调节技术，延长电池设备续航

工业级可靠性：

-40℃~85℃宽温工作范围

10万次擦写寿命，满足长期使用需求

4. 应用场景

应用领域	典型用途
智能家居	智能音箱固件存储、IoT设备数据记录
工业控制	PLC程序存储、设备日志记录
消费电子	机顶盒、网络摄像头视频缓存
汽车电子	车载信息娱乐系统、T-Box数据存储
网络通信	路由器固件、5G模块配置存储

5. 竞品对比优势

参数	东芯DS35M1GB-IB	竞品A	竞品B
容量	1Gb	1Gb	512Mb
接口	Quad SPI	Dual SPI	Standard SPI
ECC	4-bit/512B	1-bit/1KB	无内置
速度	104MHz	80MHz	50MHz
电压	2.7-3.6V/1.7-1.95V	仅3V	仅1.8V

核心竞争优势：

全电压覆盖：同时提供3V和1.8V版本

更高接口带宽：Quad SPI模式速度领先

更强的数据可靠性：内置4-bit ECC

更优的功耗控制：待机电流行业最低

6. 设计参考建议

PCB布局：

保持SCK信号线短且等长

在VCC引脚附近放置0.1μF去耦电容

软件优化：

优先使用Quad SPI模式提升吞吐量

定期检查ECC状态位监测存储健康度

擦写管理：

实现磨损均衡算法延长寿命

避免频繁小数据写入，采用块写入策略

7. 总结

东芯半导体的DS35M1GB-IB和DS35M1GD-IB SPI NAND Flash存储器，凭借其大容量、高性能SPI接口、内置ECC和优异的功耗表现，成为替代传统NOR Flash和并行NAND的理想选择。两款产品覆盖1.8V和3V应用场景，为工程师提供灵活的存储解决方案。

如需获取完整数据手册或样品支持，请联系东芯半导体官方渠道。