东芯半导体DS25M64E-1AIB1/DS25M64E-1AIB4 SPI NOR FLASH：高性能串行闪存解决方案,东芯半导体推出的DS25M64E-1AIB1（1.8V供电）和DS25M64E-1AIB4（3V供电）SPI NOR FLASH存储器，采用先进的65nm工艺技术，提供64Mb（8MB）存储容量，是专为物联网终端、车载电子和工业控制等领域设计的高可靠性非易失性存储解决方案。

核心性能优势

1. 高速SPI接口

支持标准/双/四线SPI模式，时钟频率最高达104MHz

读取速度最高52MB/s（Quad SPI模式）

页编程时间0.6ms（典型值），扇区擦除时间60ms

2. 高可靠性设计

100,000次擦写寿命，数据保持20年

工业级温度范围：-40℃~+85℃

内置ECC纠错和写保护功能

3. 低功耗特性

深度睡眠模式电流低至1μA

工作电流：15mA（读取）/25mA（编程）

支持1.7V~3.6V宽电压工作（DS25M64E-1AIB1）

产品型号对比

典型应用场景

东芯半导体技术创新

智能编程算法：优化写入速度同时延长寿命

动态功耗管理：根据工作状态自动调节功耗

安全保护机制：

软件/硬件写保护

唯一ID识别

OTP（一次性编程）区域

设计应用指南

PCB布局建议

时钟线长度≤50mm

保持信号线阻抗匹配

量产支持

提供批量编程解决方案

支持固件预烧录服务

市场竞争力分析

采购与服务支持

封装选项：SOP-8/USON-8

交付周期：标准交期8周

质量认证：通过IATF16949认证

技术支持：提供完整开发套件

关键词：DS25M64E-1AIB1、DS25M64E-1AIB4、东芯半导体、SPI NOR FLASH、104MHz、Quad SPI、工业级闪存

东芯SPI NOR FLASH以"高速+可靠"特性，为嵌入式系统提供优质的代码存储解决方案！