DS35M1GA-IB和DS35M1GB-ID是东芯半导体推出的1Gb(128MB)和2Gb(256MB) SPI NAND Flash存储器系列，采用高速四线SPI接口，完美结合NAND Flash的大容量优势与SPI接口的易用性。两款产品在容量规格和封装形式上形成互补组合，满足工业控制、智能汽车、网络通信等领域的多样化存储需求。

关键特性对比

核心参数

DS35M1GA-IB (1Gb)

DS35M1GB-ID (2Gb)

存储容量

1Gb (128MB)

2Gb (256MB)

接口标准

Quad SPI (最高104MHz)

Quad SPI (最高133MHz)

数据传输率

416Mbps

532Mbps

ECC纠错

4-bit/528B

8-bit/1KB

擦写寿命

100,000次

100,000次

工作温度

-40℃~+85℃

-40℃~+105℃

封装形式

8-pin SOP (150mil)

24-pin TSSOP

产品核心优势

✔ 容量灵活配置：

• DS35M1GA-IB满足中容量需求(1Gb)

• DS35M1GB-ID提供双倍存储空间(2Gb)

✔ 极致性能表现：

• DS35M1GB-ID支持133MHz时钟频率(532Mbps)

• 快速页编程时间：0.3ms(典型值)

• 高效块擦除时间：2ms(典型值)

✔ 军工级可靠性：

• 增强型ECC纠错(DS35M1GB-ID达8-bit/1KB)

• 数据保持时间>10年

• 工业级抗干扰设计(CMTI>50kV/μs)

✔ 智能安全防护：

• 硬件写保护(WP#)机制

• OTP(一次性编程)安全区域

• 坏块自动管理功能

典型应用场景