DS35M12C-IB 和 DS35Q12B-IB 是 东芯半导体（Dosilicon） 推出的 SPI NAND Flash 存储器系列，分别提供 1Gb（128MB）和2Gb（256MB） 容量选项。这两款产品采用 高速SPI接口，兼具 NAND Flash的大容量优势 和 SPI接口的易用性，适用于 工业控制、物联网、汽车电子 等领域的嵌入式存储需求。

关键特性对比

DS35M12C-IB（1Gb SPI NAND Flash）

✅ 容量：1Gb（128MB）

✅ 接口：标准SPI（最高104MHz）

✅ 可靠性：

• 内置 4-bit/528B ECC 纠错

• 数据保持 >10年

• 擦写次数 100,000次

✅ 封装：8-pin SOP（适合紧凑设计）

DS35Q12B-IB（2Gb SPI NAND Flash）

✅ 容量：2Gb（256MB）

✅ 接口：Quad SPI（最高416Mbps），提升读写速度

✅ 可靠性：

• 增强型 ECC算法，支持更复杂的数据纠错

• 工业级温度范围（-40°C ~ +85°C）

✅ 封装：24-pin TSSOP（适用于高性能应用）

核心优势

✔ 高速数据传输：

• DS35M12C-IB 支持 104MHz SPI

• DS35Q12B-IB 支持 Quad SPI（416Mbps），加速固件加载

✔ 低功耗设计：

• 工作电流 <30mA，待机电流 <100μA

✔ 高可靠性存储：

• 内置 坏块管理（BBM），延长使用寿命

• 硬件写保护（WP#） 防止数据误操作

✔ 简化设计：

• 相比并行NAND Flash，减少PCB布线复杂度

• 兼容 标准SPI协议，易于集成

典型应用