TPB76200-TS3R是3PEAK公司推出的一款专为48V电池组设计的高端N沟道MOSFET（NFET）驱动器，适用于高边开关应用。以下是该器件的关键特性和应用信息：

核心特性

1. 高边驱动

◦ 专为驱动高端NFET设计，支持电池组正极侧开关控制，简化电路布局。

◦ 内置自举二极管（需外接自举电容），确保高边MOSFET的栅极驱动电压稳定。

2. 宽电压范围

◦ 工作电压范围：4.5V至60V，兼容12V/24V/48V电池系统。

◦ 驱动输出电压（VGS）：典型12V（需外部自举电容），确保MOSFET完全导通。

3. 高驱动能力

◦ 峰值拉电流（Source）：2A，灌电流（Sink）：3A，可快速开关大功率MOSFET，降低开关损耗。

◦ 支持高频开关（如数百kHz），适合PWM控制场景。

4. 保护功能

◦ 欠压锁定（UVLO）：防止低电压下MOSFET不完全导通。

◦ 输入信号滤波：抗噪声干扰，避免误触发。

5. 低功耗设计

◦ 静态电流典型值低至μA级，适合电池供电系统。

典型应用

• 48V电池管理系统（BMS）：用于充放电控制、负载开关保护。

• 工业电源：高边开关控制，如电机驱动、继电器替代。

• 新能源系统：光伏逆变器、储能系统的功率路径管理。

引脚配置（以TSOT-23-6封装为例）

1. VIN：逻辑输入（兼容3.3V/5V MCU）。

2. VDD：供电引脚（4.5V-60V）。

3. HO：高边栅极驱动输出（连接MOSFET栅极）。

4. VB：自举电压输入（接自举电容正极）。

5. HS：高边源极连接（接MOSFET源极，用于自举回路）。

6. GND：电源地。

设计注意事项

1. 自举电路

◦ 需外接自举电容（通常0.1μF-1μF）和二极管，确保高边MOSFET持续导通。

◦ 电容耐压需高于电池电压（如60V）。

2. MOSFET选型

◦ 选择VDS耐压＞48V（建议60V以上）、低Qg的NFET以优化开关速度。

3. PCB布局

◦ 缩短HO到MOSFET栅极的走线，减少寄生电感。

◦ 大电流路径（如HS到地）需宽铜箔设计。

优势

• 集成度高，减少外部元件数量。

• 支持高边驱动，简化系统架构。

• 3PEAK的可靠性设计，适用于工业级环境。

如需详细规格书或参考设计，建议访问3PEAK官网或联系供应商获取TPB76200-TS3R的Datasheet。