GreenMOS®高压MOSFET利用电荷平衡技术实现卓越性能

低导通电阻和低栅极电荷。其设计目的是将传导损耗降至最低

优越的开关性能和鲁棒的雪崩能力。

GreenMOS®Z系列与快速恢复二极管（FRD）集成，以最大限度地减少反向恢复

时间它适用于谐振开关拓扑以达到更高的效率、更高的可靠性和

更小的外形尺寸。

特征

 低RDS（打开）和FOM

 极低的开关损耗

 优异的稳定性和均匀性

 超快、坚固的体二极管

应用

 PC电源

 电信电源

 服务器电源

 电动汽车充电器

 电机驱动器